IRGP4262D-EPBF - Infineon Technologies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IRGP4262D-EPBF
Hersteller Teil #: IRGP4262D-EPBF
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: IGBT 650V 60A 250W TO247AC
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
15 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
1.7V
Test Conditions  
400V, 24A, 10 Ω, 15V
Operating Temperature  
-40°C~175°C TJ
Packaging  
Tube
Published  
2013
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
ECCN Code  
EAR99
Max Power Dissipation  
250W
Rise Time-Max  
45ns
Element Configuration  
Single
Input Type  
Standard
Power - Max  
250W
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
2.1V
Max Collector Current  
60A
Reverse Recovery Time  
170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2.1V @ 15V, 24A
Gate Charge  
70nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
96A
Td (on/off) @ 25°C  
24ns/73ns
Switching Energy  
520μJ (on), 240μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
7.7V
Fall Time-Max (tf)  
40ns
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
RoHS Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
IRGP4262D-EPBF TO-247-3 IGBT 650V 60A 250W TO247AC
FGH30T65UPDT-F155 TO-247-3 IGBT 650V 60A 250W TO247-3
STGWA30M65DF2 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT 650V 60A 250W TO247AC
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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